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    成功案例Success Cases

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    成功案例

    首頁-成功案例-25年04月03日河南半導(dǎo)體電感耦合等離子體光譜儀Agilent ICP-OES 5110,分析痕量元素

    25年04月03日河南半導(dǎo)體電感耦合等離子體光譜儀Agilent ICP-OES 5110,分析痕量元素

    發(fā)布時間:2025-4-7

    合作伙伴:河南某半導(dǎo)體材料行業(yè)

    儀器類型:電感耦合等離子體光譜儀

    品牌:安捷倫

    型號:ICP-OES 5110

    2025年04月03日, 河南某半導(dǎo)體材料行業(yè)客戶成功采購我司電感耦合等離子體光譜儀安捷倫/Agilent 5110VDV ICP-OES儀器!從設(shè)備安裝到參數(shù)調(diào)試全程專業(yè)護航,更為客戶團隊提供定制化操作培訓(xùn)。感恩客戶對我司技術(shù)實力的信賴與認可!

     

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    在半導(dǎo)體材料行業(yè)中,安捷倫Agilent  ICP-OES 5110儀器具有廣泛的應(yīng)用,以下是其在該行業(yè)的應(yīng)用、技術(shù)規(guī)格以及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的詳細信息:

    應(yīng)用場景

    半導(dǎo)體制造:Agilent  ICP-OES 5110可用于監(jiān)測清洗和蝕刻硅片過程中使用的化學(xué)品中的痕量污染物。這對于確保半導(dǎo)體制造過程中的純度和質(zhì)量至關(guān)重要,因為即使是微量的雜質(zhì)也可能影響半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。

    晶圓加工:該儀器還可用于監(jiān)測晶圓/IC制造過程中使用的化學(xué)品中的污染物。這有助于及時發(fā)現(xiàn)并控制可能影響半導(dǎo)體制造質(zhì)量的雜質(zhì),從而提高產(chǎn)品的良品率。

    金屬污染評估:Agilent 5110 VDV ICP-OES能夠評估硅片襯底及用于硅的相關(guān)層和涂層中的金屬污染。這對于半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制具有重要意義,因為金屬污染可能會影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

    納米顆粒分析:該儀器還可以用于化學(xué)品以及晶圓加工和清潔浴槽中的金屬納米顆粒(NP)分析。這對于研究和控制納米顆粒在半導(dǎo)體制造過程中的分布和影響具有重要作用。


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    Agilent  ICP-OES 5110 技術(shù)規(guī)格

    垂直雙向觀測(VDV):Agilent  ICP-OES 5110采用垂直雙向觀測技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)更高的測量通量和分析效率。這種設(shè)計使得儀器在測量包括高基質(zhì)和揮發(fā)性有機溶劑在內(nèi)的復(fù)雜樣品時具有更好的性能。

    固態(tài)RF發(fā)生器系統(tǒng):該儀器配備了穩(wěn)定的固態(tài)RF發(fā)生器系統(tǒng),可以提供穩(wěn)定的等離子體,確保長期穩(wěn)定的分析性能。這對于半導(dǎo)體材料分析中對高精度和高重復(fù)性的要求非常重要。

    檢測器冷卻:檢測器采用半導(dǎo)體制冷,溫度可達-40℃,暗電流和背景噪聲低。這種設(shè)計提高了檢測器的靈敏度和穩(wěn)定性,從而提高了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

    多重檢量限(Multical)功能:儀器具有多重檢量限功能,可以根據(jù)不同的元素含量范圍選擇不同的譜線,使儀器能夠同時測定高低含量的元素,擴展了儀器的動態(tài)線性范圍。

    長期穩(wěn)定性:Agilent  ICP-OES 5110具有良好的長期穩(wěn)定性,8小時內(nèi)RSD≤1%,短期穩(wěn)定性RSD≤0.5%。這種穩(wěn)定性對于半導(dǎo)體材料的長期分析和質(zhì)量控制至關(guān)重要。


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    行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

    半導(dǎo)體材料分析標(biāo)準(zhǔn):在半導(dǎo)體材料行業(yè)中,ICP-OES儀器通常需要符合相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),如SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)元素的檢測限、準(zhǔn)確度和精密度等要求。

    檢測限和靈敏度:對于半導(dǎo)體材料中的痕量元素分析,ICP-OES儀器需要具備低檢測限和高靈敏度。Agilent  ICP-OES 5110能夠滿足這些要求,檢測限一般為幾個ppb,可測量的濃度范圍可高達幾十ppm。

    分析效率和速度:半導(dǎo)體制造過程中對分析效率和速度有較高要求。Agilent  ICP-OES 5110的垂直雙向觀測技術(shù)和智能光譜組合(DSC)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)快速的樣品分析,提高生產(chǎn)效率。


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    安捷倫Agilent  ICP-OES 5110儀器憑借其技術(shù)規(guī)格和廣泛的應(yīng)用場景,在半導(dǎo)體材料行業(yè)中發(fā)揮著重要作用。它能夠滿足半導(dǎo)體制造過程中對高精度、高靈敏度和高效率的分析需求,為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量控制和研發(fā)提供了有力支持。


    譜標(biāo)作為精密分析儀器服務(wù)商,我們始終以"誠心、誠信、真誠"為服務(wù)準(zhǔn)則,未來將持續(xù)通過技術(shù)創(chuàng)新與專業(yè)服務(wù),助力客戶在半導(dǎo)體材料檢測領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更精準(zhǔn)的科研突破。期待與更多伙伴攜手,共同推進中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展!


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